具体净化工艺对温度的要求，由于加工精度越来越精细，对温度波动范围的要求越来越小；要求的湿度值一般较低，因为出汗后会污染产品，尤其是怕钠的半导体车间，不宜超过25度。
湿度过大会导致更多的问题。当相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会发生凝结。如果发生在精密器件或电路中，会造成各种事故。相对湿度50%时容易生锈。此外，当湿度过高时，附着在硅片表面的灰尘会被空气中的水分子化学吸附在表面，很难去除。相对湿度越高，越难去除粘附物。然而，当相对湿度低于30%时，由于静电力，颗粒容易吸附在表面上，并且大量的半导体器件容易被击穿。硅晶片生产的最佳温度范围是35-45%。
